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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>《直接公开》	对比文件第[0062]-[0065]段，例如：“the layouts for the transformers described herein may be implemented utilizing a planar structure, stacked structure, or a multi-layer structure. ... For example, as shown in the example planar substrate structure of FIG. 12, a first primary winding may be fabricated entirely on first metal layer 1202 while a second primary winding may also be fabricated substantially on the same first metal layer 1202 ...”（例如，如图12所示的示例性平面衬底结构，第一初级绕组可以完全制作在第一金属层1202上，而第二初级绕组也可以基本制作在同一第一金属层1202上...）	对比文件多次提及并图示（如图12-15）其变压器绕组制作在衬底（substrate）或金属层上，这些层构成了器件的支撑结构。在电子器件制造领域，“基板”或“衬底”是承载电路元件的基础部件。对比文件明确公开了“substrate structure”（衬底结构），其作用是为变压器绕组提供物理支撑和电学隔离，这与目标专利中基板的作用（承载螺旋电感器）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件全文描述了变压器（transformer），其绕组（windings）具有螺旋形状。例如，图8-11示出了具有螺旋形状的初级和次级绕组布局。	虽然对比文件公开了布置在衬底上的具有螺旋形状的绕组（可视为一种螺旋电感器），但其描述和图示的均为用于电压变换和功率合成的变压器（具有至少两个相互耦合的绕组），而非目标专利中作为独立储能元件的电感器。更重要的是，目标专利明确限定该螺旋电感器为“梯度层堆叠电感器”，其核心在于匝间或匝内厚度呈梯度变化以优化性能。对比文件完全没有提及绕组导体的“厚度变化”，更未涉及“梯度层堆叠”这一特定结构配置。因此，对比文件既未直接公开，也未隐含公开“梯度层堆叠电感器”这一技术特征。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体在垂直方向上的厚度，也未区分最内匝的不同部分具有不同厚度。	目标专利此特征定义了电感器最内匝的特定部分具有一个确定的厚度（第一厚度），这是实现其厚度梯度变化结构的基础。对比文件仅描述了绕组的布局、匝数、层间连接等，对于导体在垂直于基板方向（即导体高度或厚度）的尺寸，尤其是同一匝内不同部分的厚度差异，没有任何记载或暗示。本领域技术人员无法从对比文件中推理出该特征。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体在垂直方向上的厚度，也未区分最内匝的不同部分具有不同厚度。	同特征C，对比文件未公开关于绕组导体厚度，特别是同一匝内具有不同厚度的任何信息。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体厚度之间的比较关系。	此特征限定了同一匝内两个部分的厚度大小关系。对比文件完全没有涉及导体厚度的概念，因此不可能公开厚度之间的比较关系。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体在垂直方向上的厚度，也未区分最内匝的不同部分具有不同厚度。	同特征C、D，对比文件未公开此特征。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体厚度之间的比较关系。	同特征E，对比文件未公开厚度比较关系。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体的厚度变化或梯度。	此特征是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心体现，即厚度沿着最内匝连续或梯度变化。对比文件的所有内容均围绕如何通过绕组的空间布局、匝数比和耦合来实现电压提升和功率合成，从未涉及通过改变导体厚度来优化电感器本身性能（如减小涡流损耗）的技术构思，因此完全没有公开“厚度梯度增大”这一特征。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件描述了多层堆叠的绕组结构。例如，第[0064]段及图14描述了初级绕组和次级绕组在不同金属层上堆叠：“a first primary winding may be formed on metal layer 1402 while a second primary winding may be formed on another metal layer 1406. The single secondary winding having multiple turns may be formed using a combination of metal layers 1404 and 1408”（第一初级绕组可以形成在金属层1402上，而第二初级绕组可以形成在另一金属层1406上。具有多匝的单个次级绕组可以使用金属层1404和1408的组合来形成）。	对比文件公开了多个导电绕组（螺旋）在垂直方向上层叠放置的结构（例如，一个绕组在另一绕组之上），这可以理解为一种覆盖关系。然而，目标专利特征I详细限定了两个导电螺旋在电感器最内匝和最外匝的特定部分的覆盖关系和组成，这种具体的结构安排是为了实现前述的厚度梯度。对比文件虽然公开了多层堆叠，但其目的是实现多初级绕组与单一次级绕组的空间交错以减小面积和增强耦合（见第[0056]段），而非为了实现特定匝的特定厚度分布。对比文件没有公开或暗示两个螺旋在最内匝不同部分的特定覆盖/非覆盖关系，以及它们与最外匝部分的构成关系。因此，该特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未比较不同绕组或同一绕组不同部分的长度。其附图（如图8、9、11）显示初级和次级绕组的路径长度可能不同，但这是由它们的匝数（如1匝 vs 2匝或3匝）和布局决定的，并非特意设置的长度关系以形成厚度阶梯。	目标专利中，两个导电螺旋的长度差异是形成“阶梯”状厚度变化（如说明书图1实施例）的关键。对比文件中的绕组长度差异是其实现特定匝数和电磁耦合的必然结果，并非出于改变导体厚度的目的而进行的结构性设计。本领域技术人员无法从对比文件推断出存在为达成厚度梯度而特意设置的两个螺旋的长度关系。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及在两层螺旋绕组之间存在额外的“导电层”。其多层结构指的是绕组本身分布在不同的金属层上。	目标专利的“导电层”是独立于两个导电螺旋的、用于形成更复杂厚度阶梯的中间层（参见说明书图1的导电层108）。对比文件没有描述在绕组之间插入这样的附加导电层，更没有描述该层与特定匝部分的构成关系。该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及“非连续螺旋”的导电层。	此特征是对特征K中导电层具体形态的进一步限定。既然特征K的导电层本身未被公开，其“非连续螺旋”的形态更无从谈起。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及导电层包含引线。	同特征L，此特征是对未被公开的导电层的进一步限定，因此未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及在绕组层之间设置钝化层（passivation layer）。	钝化层用于电学隔离和机械保护。对比文件描述的多层金属结构可能默认存在层间介质，但其并未明确公开“钝化层”这一结构特征，也未将其作为技术方案的一部分进行描述。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件提到了使用通孔（via）连接不同金属层以形成绕组路径，例如第[0062]段“via connections 1204”，第[0064]段“via 1410”，第[0065]段“via 1510, 1512”。	对比文件确实公开了使用通孔连接不同金属层上的导体部分以形成连续的绕组路径。然而，目标专利特征O限定的通孔是用于连接两个导电螺旋，并且该通孔是穿过钝化层的。首先，对比文件未公开“钝化层”（特征N）。其次，对比文件中通孔连接的是构成同一个绕组在不同金属层上的部分（例如，次级绕组的两匝分别在不同层，通过通孔连接），或者连接的是不同的绕组与外部电路（如中心抽头），其目的与目标专利中通过通孔连接两个独立的导电螺旋以形成电学连接和特定厚度堆叠的结构不同。因此，该特征未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未直接公开，也未隐含公开》	对比文件未提及绕组导体的厚度变化。	此特征是对最内匝厚度变化趋势的限定，是“梯度层堆叠”概念的具体表现。如前述，对比文件完全没有涉及导体厚度的任何信息，因此该特征未被公开。